在考慮EMI控制時，設(shè)計工程師及PCB板級設(shè)計工程師首先應(yīng)該考慮IC芯片的選擇。集成電路的某些特征如封裝類型、偏置電壓和芯片的工藝技術(shù)（例如CMOS、ECI）等都對電磁干擾有很大的影響。下面將著重探討IC對EMI控制的影響。
集成電路EMI來源
PCB中集成電路EMI的來源主要有：數(shù)字集成電路從邏輯高到邏輯低之間轉(zhuǎn)換或者從邏輯低到邏輯高之間轉(zhuǎn)換過程中，輸出端產(chǎn)生的方波信號頻率導致的EMI信號電壓和信號電流電場和磁場芯片自身的電容和電感等。
集成電路芯片輸出端產(chǎn)生的方波中包含頻率范圍寬廣的正弦諧波分量，這些正弦諧波分量構(gòu)成工程師所關(guān)心的EMI頻率成分。最高EMI頻率也稱為EMI發(fā)射帶寬，它是信號上升時間（而不是信號頻率）的函數(shù)。
計算EMI發(fā)射帶寬的公式為：F=0.35/TR
電路中的每一個電壓值都對應(yīng)一定的電流，同樣每一個電流都存在對應(yīng)的電壓。當IC的輸出在邏輯高到邏輯低或者邏輯低到邏輯高之間變換時，這些信號電壓和信號電流就會產(chǎn)生電場和磁場，而這些電場和磁場的最高頻率就是發(fā)射帶寬。電場和磁場的強度以及對外輻射的百分比，不僅是信號上升時間的函數(shù)，同時也取決于對信號源到負載點之間信號通道上電容和電感的控制的好壞，因此，信號源位于PCB板的匯內(nèi)部，而負載位于其他IC的內(nèi)部，這些IC可能在PCB上，也可能不在該PCB上。為了有效地控制EMI，不僅需要關(guān)注自身的電容和電感，同樣需要重視PCB上存在的電容和電感。
當信號電壓與信號回路之間的結(jié)合不緊密時，電路的電容就會減小，因而對電場的抑制作用就會減弱，從而使EMI增大；電路中的電流也存在同樣的情況，如果電流同返回路徑之間結(jié)合不佳，勢必加大加路上的電感，從而增強了磁場，最終導致EMI增加。這充分說明，對電場控制不佳通常也導致磁場抑制不佳。用來控制電路板中電磁場的措施與用來抑制IC封裝中電磁場的措施大體相似。正如同PCB設(shè)計的情況，IC封裝設(shè)計將極大地影響EMI。
電路中相當一部分電磁輻射是由電源總線中的電壓瞬變造成的。當輸出級發(fā)跳變并驅(qū)動相連的PCB線為邏輯“高”時，匯芯片將從電源中吸納電流，提供輸出極所需的能量。對于IC不斷轉(zhuǎn)換所產(chǎn)生的超高頻電流而言，電源總線PCB上的去輥網(wǎng)絡(luò)止于匯的輸出極。如果輸出極的信號上升時間為1.0NS，那么IC要在1.0NS這么短的時間內(nèi)從電源上吸納足夠的電流來驅(qū)動PCB上的傳輸線。
由于IC管腳以及內(nèi)部電路都是電源總線的一部分，而且吸納電流和輸出信號的時間也在一定程度上取決于工藝技術(shù)，因此選擇合適的匯就可以在很大程度上控制上述公式中提到的三個要素。
封裝特征在電磁干擾控制中的作用
IC封裝通常包括硅基芯片、一個小型的內(nèi)部PCB以及焊盤。硅基芯片安裝在小型64PCB上，通過綁定線實現(xiàn)硅基芯片與焊盤之間的連接，在某些封裝中也可以實現(xiàn)直接連接小型PCB實現(xiàn)硅基芯片上的信號和電源與匯封裝上的對應(yīng)管腳之間的連接，這樣就實現(xiàn)了硅基芯片信號和電源節(jié)點的對外延伸。
信息來源：宗盛源
