雖然大家往往認為電阻、電容器、電感器等無源元件的存在不甚搶眼，但實際上它們卻是最先進的電子設備中必不可少的元器件。特別是對最先進的半導體設備而言，多層陶瓷電容器極其重要。如果沒有這種電容器，就無法指望半導體設備能正常運行。在電子行業(yè)中，曾經流傳一種說法"電容器遲早會被納入半導體設備"。但是實際上，在半導體設備發(fā)展的同時，多層陶瓷電容器的重要性也與日俱增。如果沒有多層陶瓷電容器，也就無法指望使用最先進的微細加工技術制造的微處理器、DSP、微型計算機、FPGA等的半導體設備能正常運行。
陶瓷電容器小型化和大容量化
目前，多層陶瓷電容器的市場規(guī)模在鋁電解電容器、鉭電解電容器和薄膜電容器等各式電容器中是最大的。稍早前的數(shù)據(jù)顯示2008年日本國內出貨量為6278 億個，日本國內出貨金額達到3059日元(源自經濟產業(yè)部的機械統(tǒng)計)。位居第2位的鋁電解電容器日本國內出貨量為182億個，日本國內出貨金額為 1743日元。其差距相當巨大。2012年，多層陶瓷電容器增加到7655億個，與此相對，鋁電解電容器卻減少到109億個。其差距在不斷擴大。
通過多重層疊電介質層和內部電極，實現(xiàn)了較大電容。雖然現(xiàn)在多層陶瓷電容器在電容器市場上占據(jù)榜首位置，然而在產品推出之初卻很難被市場接受。構思出多層陶瓷電容器創(chuàng)意的是美國企業(yè)。在始于1961年的阿波羅計劃的推進過程中，出于需要，大電容量的小型電容器應運而生。通過在薄電介質上形成電極，并進行多個疊加，實現(xiàn)了在小體積內充滿大電容的電容器。
多層陶瓷電容器的歷史即可一言以蔽之，就是"小型化和大容量化的歷史"。電介質材料在推出之初是采用的二氧化鈦，但我們在較早的階段引入了鈦酸鋇(BaTiO3)。之后也通過對該材料加以改良來不斷提高相對介電常數(shù)，目前已經達到3000左右。相較于幾十水平的二氧化鈦相對介電常數(shù)，該數(shù)值也已經大其兩位數(shù)。
電介質的厚度在推出之初為50μm，但之后薄型化逐漸發(fā)展，目前已經達到了0.5μm。也就是說，與產品推出之初相比，介電常數(shù)已經提高到100倍，厚度減 少至1/100。如果厚度降低到1/100，那么層疊數(shù)可以增加至100倍。因此，如果是相同體積的電容器，相當于增加到100萬倍。相反，如果考慮體積，則意味著相同的電容量可以實現(xiàn)1/100萬的小型化。
多層陶瓷電容器的應用 片狀多層陶瓷電容器被廣泛用于配備在微處理器、DSP、MCU及FPGA等半導體器件的周圍電路，以使這些半導體器件能夠正常工作。配備的個數(shù)(總數(shù))非常多。比如，筆記本PC約為730個，手機為230個，數(shù)碼攝像機及導航儀甚至要使用多達1000個左右。
這些片狀多層陶瓷電容器的作用大致分為兩種。一是為半導體器件提供電力供應的支持。一般而言，半導體器件根據(jù)不同的工作狀態(tài)，所需電流會有很大變化。有時會突然需要大量電力。當遇到這種負荷突變的情況時，配備在相對較遠部位的電源電路(DC-DC轉換器等)會無法迅速滿足需求。因此，事先在配備在半導體器件周圍的電容器中先積蓄電力，由電容器來滿足突然出現(xiàn)的供電需求。
另一個作用是去除導致EMI(Electro-Magnetic Interference，電磁干擾)的噪聲成分。也就是濾波器作用。通過利用電容器高頻阻抗較低這一特點，使高頻噪聲成分到達電源/接地層。
一般而言，前一種作用被稱為去耦電容器，后一種作用被稱為旁路電容器。而大容量片狀多層陶瓷電容器則可同時承擔這兩種作用。現(xiàn)在，僅去耦和平滑濾波器用途就已占到片狀多層陶瓷電容器市場份額的約7成。此外，用量較大的用途是高頻濾波器用途、阻抗匹配用途以及溫度補償用途等。
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鉭電容 陶瓷電容 二、三極管 晶體振蕩器
